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NTE123AP-5 /Transistor; TO92; NPN; 40; 60; 6 V; 600mA; 1 W @ 25 degC; -55 to 150 degC; 357
NTE123AP-5的规格信息
NTE123AP-5的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

封装:TO-92

极性:NPN

击穿电压(集电极-发射极):40.0 V

集电极击穿电压:60.0 V

安装方式:Through Hole

RoHS标准:Non-Compliant

供应商NTE123AP-5
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深圳市芯幂科技有限公司NTE123AP-5深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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