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NTE123AP-10 /Transistor; TO92; NPN; 40; 60; 6 V; 600mA; 1 W @ 25 degC; -55 to 150 degC; 357
NTE123AP-10的规格信息
NTE123AP-10的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

封装:TO-92

极性:NPN

击穿电压(集电极-发射极):1000 40.0 V

集电极击穿电压:60.0 V

安装方式:Through Hole

RoHS标准:Non-Compliant

产品生命周期:Active

供应商NTE123AP-10
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深圳市芯幂科技有限公司NTE123AP-10深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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NTE123AP-10TRANS NPN 40V 600MA TO92 10PKNTE Electronics, IncNTE Electronics, Inc的LOGO63 Kbytes共3页NTE123AP-10的PDF下载地址
NTE123AP-10Transistor, TO92, NPN, 40, 60, 6 V, 600 mA, 1 W @ 25C, -55 to 150 C, 357 C/WNTE Electronics, Inc.NTE Electronics, Inc.的LOGO26.97 Kbytes共3页NTE123AP-10的PDF下载地址
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