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NTD3055-150-1 / MOSFET 60V 9A N-Channel
NTD3055-150-1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:ON Semiconductor

Id-连续漏极电流:9 A

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Rds On-漏源导通电阻:122 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:28.8 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DPAK-3

封装:Tube

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:23 ns

正向跨导 - 最小值:5.4 S

最小工作温度:- 55 C

上升时间:37.1 ns

工厂包装数量:75

典型关闭延迟时间:12.2 ns

典型接通延迟时间:11.2 ns

供应商NTD3055-150-1
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深圳市坤融电子有限公司NTD3055-150-1航都大厦10I0755-23990975
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深圳市芯幂科技有限公司NTD3055-150-1深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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深圳市辉华拓展电子有限公司NTD3055-150-1G深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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19854773352
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