制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:否

商标:ON Semiconductor

Id-连续漏极电流:- 12 A

Vds-漏源极击穿电压:- 60 V

Rds On-漏源导通电阻:155 mOhms

晶体管极性:P-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:55 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DPAK-3

封装:Tube

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:48 ns

正向跨导 - 最小值:8 S

最小工作温度:- 55 C

上升时间:45 ns

工厂包装数量:75

典型关闭延迟时间:26 ns

典型接通延迟时间:10 ns