FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3.8A（Ta），17.1A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：3.76nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：4.5V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：225pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：20V

功率耗散（最大值）：1.14W（Ta），22.3W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：45 毫欧 @ 6A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：DPAK

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs