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NSVMUN5212DW1T1G /ON Semiconductor/分立半导体产品
NSVMUN5212DW1T1G的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基底（R1）（欧姆）：22k

电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）：22k

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：60 @ 5mA，10V

不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：250mV @ 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

频率 - 跃迁：-

功率 - 最大值：250mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装：SC-88/SC70-6/SOT-363

供应商NSVMUN5212DW1T1G
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深圳市芯幂科技有限公司NSVMUN5212DW1T1G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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