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NSVMUN2212T1G /ON Semiconductor/分立半导体产品
NSVMUN2212T1G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

系列:-

包装:带卷(TR)

晶体管类型:NPN - 预偏压

电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22k

电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22k

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):60 @ 5mA,10V

不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值):500nA

频率 - 跃迁:-

功率 - 最大值:230mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装:SC-59-3

供应商NSVMUN2212T1G
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深圳市佳威星科技有限公司NSVMUN2212T1G深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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深圳市芯幂科技有限公司NSVMUN2212T1G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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集好芯城NSVMUN2212T1G深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
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NSVMUN2212T1GDigital Transistors (BRT) R1 = 22 k, R2 = 22 k ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO140.56 Kbytes共12页NSVMUN2212T1G的PDF下载地址
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NSVMUN2212T1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 - 分立半导体产品12000+:¥0.34991+:¥2.2
10+:¥1.47
100+:¥0.61
1000+:¥0.41
3000+:¥0.3301
9000+:¥0.3101
24000+:¥0.3101
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NSVMUN2212T1GON SemiconductorSS SC59 BR XSTR PNP PBFR - Tape and Reel12,000 : $0.0429
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NSVMUN2212T1GON SemiconductorTRANS PREBIAS NPN 50V SC59-3$0.24000
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NSVMUN2212T1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 - 分立半导体产品12000+:¥0.3499
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Digi-Key 得捷电子
NSVMUN2212T1GON SemiconductorTRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-312,000 : $0.04811
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NSVMUN2212T1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 - 分立半导体产品12000+:¥0.34991+:¥2.2
10+:¥1.47
100+:¥0.61
1000+:¥0.41
3000+:¥0.3301
9000+:¥0.3101
24000+:¥0.3101
45000+:¥0.3101
99000+:¥0.28
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Mouser 贸泽电子
NSVMUN2212T1GON Semiconductor双极晶体管 - 预偏置 SS SC59 BR XSTR PNP PBFR1:¥2.9154
10:¥1.9549
100:¥0.82264
1,000:¥0.56048
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NSVMUN2212T1GON(安森美)预售新品1+:¥0.69933
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