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NP84N075MUE-S18-AY /Renesas Electronics America/分立半导体产品
NP84N075MUE-S18-AY的规格信息
NP84N075MUE-S18-AY的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:50

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:管件

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):75V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):84A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):12.5 毫欧 @ 42A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):150nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8400pF @ 25V

功率 - 最大值:1.8W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3

供应商器件封装:TO-220-3

供应商NP84N075MUE-S18-AY
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NP84N075MUE-S18-AYMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET NEC[NEC]NEC[NEC]的LOGO219.66 Kbytes共10页NP84N075MUE-S18-AY的PDF下载地址RJK6014DPP,NP82N055CHE_07,NP82N055ELE,NP84N04EHE,NP84N055EHE,2SK4178,NP84N055ELE,NP40N055EHE,NP40N055ELE,NP48N055EHE
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