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NP82N06PDG-E1-AY /Renesas Electronics America/分立半导体产品
NP82N06PDG-E1-AY的规格信息
NP82N06PDG-E1-AY的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:800

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):82A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.7 毫欧 @ 41A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):106nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5700pF @ 25V

功率 - 最大值:1.8W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

供应商器件封装:TO-263

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