数据列表：NP0G3D200A View all Specifications

标准包装：10,000

类别：分立半导体产品

家庭：晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：80mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基底（R1）（欧姆）：4.7k，22k

电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）：4.7k，47k

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：20 @ 5mA，10V / 80 @ 5mA，10V

不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：250mV @ 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

频率 - 跃迁：150MHz，80MHz

功率 - 最大值：125mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-963

供应商器件封装：SSS迷你型6-F1

其它名称：NP0G3D200ATRNPOG3D200A