数据列表：NP0G1AE00A View all Specifications
标准包装：10,000
类别：分立半导体产品
家庭：晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式
系列：-
包装：带卷（TR）
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：80mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）：47k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）：22k
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：60 @ 5mA，10V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：500nA
频率 - 跃迁：80MHz
功率 - 最大值：125mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-963
供应商器件封装：SSS迷你型6-F1
其它名称：NP0G1AE00ATRNPOG1AE00A