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NGTB10N60R2DT4G /IGBT 晶体管 RC2 IGBT 10A 600V DPAK
NGTB10N60R2DT4G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:

技术:Si

封装 / 箱体:DPAK-3

安装风格:SMD/SMT

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

集电极—射极饱和电压:1.7 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:20 A

Pd-功率耗散:72 W

最大工作温度:+ 175 C

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

集电极最大连续电流 Ic:10 A

商标:ON Semiconductor

栅极—射极漏泄电流:+/- 100 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:2500

子类别:IGBTs

单位重量:350 mg

供应商NGTB10N60R2DT4G
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NGTB10N60R2DT4GIGBT 晶体管 RC2 IGBT 10A 600V DPAKON SemiconductorON Semiconductor的LOGO620.16 Kbytes共8页NGTB10N60R2DT4G的PDF下载地址
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NGTB10N60R2DT4G栅极阈值电压-VGE(th):7V @ 160uA 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.1V @ 15V,10A 集电极电流(Ic)(最大值):20A 集射极击穿电压(最大值):600V 类型:-ON(安森美)ON(安森美)的LOGO619.88 Kbytes共7页NGTB10N60R2DT4G的PDF下载地址
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NGTB10N60R2DT4GON SemiconductorIGBT 晶体管 RC2 IGBT 10A 600V DPAK1:¥10.5316
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NGTB10N60R2DT4GON(安森美)栅极阈值电压-VGE(th):7V @ 160uA 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.1V @ 15V,10A 集电极电流(Ic)(最大值):20A 集射极击穿电压(最大值):600V 类型:-1+:¥6.75
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