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NE651R479A / 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 L&S Band GaAs HJFET
NE651R479A的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:NEC

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:

晶体管类型:HFET

技术:GaAs

增益:12 dB

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:8 V

Vgs-栅源极击穿电压 :- 4 V

Id-连续漏极电流:1 A

最大工作温度:+ 125 C

Pd-功率耗散:2.5 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:79A

商标:NEC/CEL

工作频率:1.9 GHz

P1dB - 压缩点:27 dBm

供应商NE651R479A
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Richardson RFPD
NE651R479ARenesas Electronics CorporationRF POWER TRANSISTOR1 : $2.71
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NE651R479A-T1-ARenesas Electronics CorporationN/A500 : $7.92
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