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NE6500379A / 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 L&S Band GaAs MESFET

NE6500379A的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:CEL

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:否

商标:CEL

晶体管类型:MESFET

技术:GaAs

增益:10 dB

Vds-漏源极击穿电压:15 V

Vgs-栅源极击穿电压 :- 7 V

Id-连续漏极电流:4.5 A

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:21 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:79A

封装:Tray

工作频率:1.9 GHz

P1dB - 压缩点:35 dBm

工厂包装数量:10

NE6500379A的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
集好芯城	NE6500379A-T1	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	NE6500379A-T1	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈玲玲	询价
深圳市坤融电子有限公司	NE6500379A-T1	航都大厦10I	0755-23990975 17318082080，13510287235	肖瑶，树平	询价
深圳市芯幂科技有限公司	NE6500379A-T1	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市惊羽科技有限公司	NE6500379A-T1	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价

NE6500379A及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
NE6500379A	3W L, S-BAND POWER GaAs MESFET	NEC[NEC]	88.52 Kbytes	共8页	NE6501077,NES1823P-140,CF005,NE650R279A,NE850R599A,NEZ4450-15BD,NE650R479A,NES1823P-45,CF010
NE6500379A	3W, L/S-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET	CEL[California Eastern Labs]	162.42 Kbytes	共7页	CFC0301_06,NE960R275_01,TC1101,SXA-289,CF005_06,NE651R479A,SXA-389,SXA-3318B,CF010_06,AS179-000
NE6500379A-T1	3W L, S-BAND POWER GaAs MESFET	NEC[NEC]	88.52 Kbytes	共8页	NE6501077,NES1823P-140,CF005,NE650R279A,NE850R599A,NEZ4450-15BD,NE650R479A,NES1823P-45,CF010
NE6500379A-T1	3W, L/S-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET	CEL[California Eastern Labs]	162.42 Kbytes	共7页	CFC0301_06,NE960R275_01,TC1101,SXA-289,CF005_06,NE651R479A,SXA-389,SXA-3318B,CF010_06,AS179-000

NE6500379A的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Bristol Electronics	NE6500379A	NEC Electronics Group		价格未公开

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