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NDT2955 /MOSFET SOT-223 P-CH ENHANCE
NDT2955的规格信息
NDT2955的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-223-4

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:2.5 A

Rds On-漏源导通电阻:95 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.8 mm

长度:6.5 mm

系列:NDT2955

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:3.5 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:5.5 S

下降时间:6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:4000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:19 ns

典型接通延迟时间:12 ns

零件号别名:NDT2955_NL

单位重量:112 mg

供应商NDT2955
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深圳市维基鸿电子有限公司NDT2955赛格科技园2栋100813148740189/ 19520735817/13632918917
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文小姐,米小姐,朱小姐Email:1076822082@QQ.COM询价
深圳市芯幂科技有限公司NDT2955深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市成源运利电子科技有限公司NDT2955深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
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深圳市天卓伟业电子有限公司NDT2955深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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NDT2955P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO92.02 Kbytes共6页NDT2955的PDF下载地址BSS84,MTD2955V,NDH8320C,NDS9400A,BSS84DW,DT456P,AOU413,AO8403,AO4803,AO6415
NDT2955P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO128.39 Kbytes共5页NDT2955的PDF下载地址DMP3030SN,CEM4301,CEM8311,CED4531,DMP2012SN,CEP12P10,CED20P06,DMP2104V,CEM4311,BSS84_1
NDT2955P-Channel 60-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO952.08 Kbytes共7页NDT2955的PDF下载地址
NDT2955_02P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO128.39 Kbytes共5页NDT2955_02的PDF下载地址DMP3030SN,CEM4301,CEM8311,CED4531,DMP2012SN,CEP12P10,CED20P06,DMP2104V,CEM4311,BSS84_1
NDT2955的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
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Avnet
NDT2955Fairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET SOT-223 P-CH ENHANCE4000+:¥1.42
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4000+:¥1.124000+:¥1.214000+:¥1.5199
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16000+:¥1.03
元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express
NDT2955Fairchild Semiconductor CorporationSOT223 P Chan 60V2.5A FET T&R4,000 : $0.2801
16,000 : $0.2546
36,000 : $0.2334
元器件资料网-Bristol Electronics的LOGO
Bristol Electronics
NDT2955Fairchild Semiconductor Corporation价格未公开
元器件资料网-Chip One Exchange的LOGO
Chip One Exchange
NDT2955Fairchild Semiconductor Corporation价格未公开
元器件资料网-Chip1Stop的LOGO
Chip1Stop
NDT2955Fairchild Semiconductor CorporationTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
RoHS : Compliant
5 : $0.545
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1,000 : $0.206
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
NDT2955Fairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET SOT-223 P-CH ENHANCE4000+:¥1.42
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
NDT2955Fairchild Semiconductor CorporationMOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-412,000 : $0.1701
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元器件资料网-element14 Asia-Pacific的LOGO
element14 Asia-Pacific
NDT2955Fairchild Semiconductor CorporationMOSFET P CH -60V -2.5A SOT-223
RoHS : Compliant
4,000 : $1.3
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元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子
NDT2955Fairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET SOT-223 P-CH ENHANCE4000+:¥1.42
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Future Electronics
NDT2955Fairchild Semiconductor CorporationP-Channel 60 V 300 mO SMT Field Effect Transistor SOT-223
RoHS : Compliant
1 : $0.2667
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Future(富昌)
NDT2955Fairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET SOT-223 P-CH ENHANCE4000+:¥1.42
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
NDT2955ON Semiconductor / FairchildMOSFET SOT-223 P-CH ENHANCE1:¥4.8364
10:¥4.0228
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4,000:¥1.6159
元器件资料网-Rochester的LOGO
Rochester
NDT2955Fairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET SOT-223 P-CH ENHANCE4000+:¥1.42
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元器件资料网-Rochester Electronics的LOGO
Rochester Electronics
NDT2955Fairchild Semiconductor CorporationN/A500 : $0.2
1,000 : $0.19
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RS Components
NDT2955Fairchild Semiconductor CorporationMOSFET P-Channel 60V 2.5A SOT223价格未公开
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Verical
NDT2955Fairchild Semiconductor CorporationTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R$0.1331
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
NDT2955VBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)1+:¥1.6273
10+:¥1.2025
30+:¥1.1244
100+:¥1.0464
500+:¥1.0117
1000+:¥0.9946
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
NDT2955ON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.5A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:300mΩ @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:P沟道1+:¥1.6092
10+:¥1.2339
30+:¥1.165
100+:¥1.0961
500+:¥1.0655
1000+:¥1.0503