FET类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：400mA（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：5.5nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：121pF @ 25V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：2W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：5.5 欧姆 @ 220mA，10V
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
封装形式Package：SOT-223
极性Polarity：N-CH
漏源极击穿电压VDSS：400V
连续漏极电流ID：0.4A
无铅情况/RoHs：否