包装托盘
系列-
零件状态停產
FET 类型P 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）1.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）200 毫欧 @ 1.3A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）4.4nC @ 5V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）280pF @ 10V
FET 功能-
功率耗散（最大值）500mW（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装SOT-23-3
封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3