制造商:Fairchild Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

Id-连续漏极电流:2.2 A

Vds-漏源极击穿电压:- 30 V

Rds On-漏源导通电阻:110 mOhms

晶体管极性:P-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:800 mW

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SSOT-8

封装:Reel

商标:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Dual Dual Drain

下降时间:18 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:18 ns

系列:NDH8502

工厂包装数量:750

典型关闭延迟时间:28 ns

典型接通延迟时间:8 ns