产品种类MOSFET

晶体管极性N and P-Channel

汲极/源极击穿电压+/- 20 V

闸/源击穿电压+/- 8 V

漏极连续电流+ 3.8 A, - 2.7 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）0.029 Ohms

配置Dual Dual Drain

最大工作温度+ 150 C

安装风格SMD/SMT

封装 / 箱体SSOT-8

封装Reel

下降时间22 ns at N Channel, 25 ns at P Channel

最小工作温度- 55 C

功率耗散0.8 W

上升时间22 ns at N Channel, 25 ns at P Channel

工厂包装数量3000

典型关闭延迟时间48 ns at N Channel, 78 ns at P Channel