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NDC7002N_SB9G007 /Fairchild Semiconductor/分立半导体产品
NDC7002N_SB9G007的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 阵列

系列：-

包装：带卷（TR）

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：50V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：510mA

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：2 欧姆 @ 510mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：1nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：20pF @ 25V

功率 - 最大值：700mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装：6-SSOT

供应商NDC7002N_SB9G007
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NDC7002N_SB9G007MOSFET 2N-CH 50V 0.51A 6-SSOTON SemiconductorON Semiconductor的LOGO330.21 Kbytes共7页NDC7002N_SB9G007的PDF下载地址无
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