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NDB5060L /MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode
NDB5060L的规格信息
NDB5060L的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:26 A

Rds On-漏源导通电阻:42 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:16 V

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:68 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.83 mm

长度:10.67 mm

系列:NDB5060L

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:9.65 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:102 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:200 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:45 ns

典型接通延迟时间:13 ns

单位重量:1.312 g

供应商NDB5060L
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NDB5060LN-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO358.95 Kbytes共7页NDB5060L的PDF下载地址FDP7030L,SI3442DV,CEP6030LS2,CEP7060LR,P3055LS,P75N02LS,CEP06N5,NDP4060L,NDP6060L,NDS331N
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NDB5060LFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode1+:¥10.8401
10+:¥9.6
25+:¥8.6701
100+:¥7.58
250+:¥6.65
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NDB5060LON SemiconductorMOSFET N-CH 60V 26A D2PAK$1.76000
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NDB5060LON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode1:¥11.30
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500:¥6.5766
800:¥5.198
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NDB5060LFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode1+:¥10.8401
10+:¥9.6
25+:¥8.6701
100+:¥7.58
250+:¥6.651+:¥8.45
10+:¥6.49
100+:¥5.1601
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