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NAND08GW3B4CZL6E / NAND Flash Parallel 3V/3.3V 8Gbit 1G x 8bit 25us 52-Pin ULGA Tray
NAND08GW3B4CZL6E的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

包装:52ULGA

电池类型:NAND

密度:8 Gb

建筑:Sectored

块组织:Symmetrical

典型工作电源电压:3|3.3 V

扇区大小:128Kbyte x 8192

支持页面模式:Yes

定时类型:Asynchronous

工作温度:-40 to 85 °C

地址总线宽度:30 Bit

接口类型:Parallel

页面大小:2 KB

标准包装:Trays

供应商NAND08GW3B4CZL6E
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NAND08GW3B4CZL6E4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memories NUMONYX[Numonyx B.V]NUMONYX[Numonyx B.V]的LOGO1705.93 Kbytes共69页NAND08GW3B4CZL6E的PDF下载地址NAND04GW3B2B,NAND02G-B2D,NAND01G-B2B,NAND01GW3A2B-KGD,NAND512R3A2C,NAND01G-B2B,NAND256-M,NAND04GA3C2A,M58WR016KU,M58WT032KT
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