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NAND08GW3B2CN6E / 闪存 NAND & S.MEDIA FLASH
NAND08GW3B2CN6E的规格信息
NAND08GW3B2CN6E的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:闪存

RoHS:

结构:Multiplane

存储类型:NAND

存储容量:8 Gbit

速度:30 ns

接口类型:Parallel

电源电压-最大:3.6 V

电源电压-最小:2.7 V

电源电流—最大值:30 mA

工作温度范围:- 40 C to + 85 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSOP-48

封装:Tray

商标:STMicroelectronics

数据总线宽度:8 bit

组织:1 G x 8

系列:NAND08G-B

工厂包装数量:96

定时类型:Asynchronous

供应商NAND08GW3B2CN6E
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NAND08GW3B2CN6E4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memories NUMONYX[Numonyx B.V]NUMONYX[Numonyx B.V]的LOGO1705.93 Kbytes共69页NAND08GW3B2CN6E的PDF下载地址NAND04GW3B2B,NAND02G-B2D,NAND01G-B2B,NAND01GW3A2B-KGD,NAND512R3A2C,NAND01G-B2B,NAND256-M,NAND04GA3C2A,M58WR016KU,M58WT032KT
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