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MW6S010GNR1 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 900MHZ 10W
MW6S010GNR1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:NXP

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Vds-漏源极击穿电压:68 V

增益:18 dB

输出功率:10 W

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-270-2

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

配置:Single

高度:2.08 mm

长度:9.7 mm

工作频率:1.5 GHz

系列:MW6S010N

类型:RF Power MOSFET

宽度:5.97 mm

商标:NXP / Freescale

通道模式:Enhancement

湿度敏感性:Yes

Pd-功率耗散:61.4 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:12 V

Vgs th-栅源极阈值电压:2.3 V

零件号别名:935324159528

单位重量:548 mg

供应商MW6S010GNR1
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深圳市辉华拓展电子有限公司MW6S010GNR1深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市芯幂科技有限公司MW6S010GNR1深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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芯莱德电子(香港)有限公司MW6S010GNR1深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市高捷半导体有限公司MW6S010GNR1深圳市福田区航都大厦10层13380394549
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深圳市星宇佳科技有限公司MW6S010GNR1 高频器件深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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深圳市捷芯微科技有限公司MW6S010GNR1深圳市福田区华强北街道华航社区中航路4号都会100大厦(金都)23B36309192
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19854773352
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深圳市宇浩扬科技有限公司MW6S010GNR1深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市赛美科科技有限公司MW6S010GNR1广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市芯泽盛世科技有限公司MW6S010GNR1龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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MW6S010GNR1RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs FREESCALE[Freescale Semiconductor, Inc]FREESCALE[Freescale Semiconductor, Inc]的LOGO726.25 Kbytes共20页MW6S010GNR1的PDF下载地址MRF18085A,MRF1517T1,MRF5S21130,MRF21010,MRF6P21190HR6,MRF19045LR3,MRF6P3300HR5,MRF9030MR1,MRF6S23140HR3,MRF6P27160HR6
MW6S010GNR1RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs FREESCALE[Freescale Semiconductor, Inc]FREESCALE[Freescale Semiconductor, Inc]的LOGO730.91 Kbytes共20页MW6S010GNR1的PDF下载地址
MW6S010GNR1RF Power Field Effect Transistor FREESCALE[Freescale Semiconductor, Inc]FREESCALE[Freescale Semiconductor, Inc]的LOGO542.96 Kbytes共16页MW6S010GNR1的PDF下载地址PTF181301,CMT07N60,2SK1286,UPA1603,MTH8N90,MTD2N20,MAPLST0810-045CF,PTF191601,2SK591,CMT06N60
MW6S010GNR1RF Power Field Effect Transistors NXP[NXP Semiconductors]NXP[NXP Semiconductors]的LOGO802.16 Kbytes共20页MW6S010GNR1的PDF下载地址
MW6S010GNR1的全球分销商及价格
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Avnet
MW6S010GNR1Freescale SemiconductorRF FET - 分立半导体产品 半导体 射频MOSFET晶体管 HV6 900MHZ 10W1+:¥136.38
10+:¥123.24
25+:¥104.88
100+:¥97.02
250+:¥91.771+:¥108.75
10+:¥98.31
25+:¥83.5701
100+:¥77.61
250+:¥77.61
500+:¥77.61500+:¥103.18
1000+:¥101.23
2500+:¥100.86
元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express
MW6S010GNR1Freescale SemiconductorLATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET, 450-1500 MHZ, 1 - Tape and Reel价格未公开
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Chip1Stop
MW6S010GNR1Freescale SemiconductorTrans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin TO-270 GULL T/R
RoHS : Compliant
2 : $24.1
5 : $19.799999
10 : $17.700001
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Digi-Key 得捷电子
MW6S010GNR1FREESCALE SEMICONDUCTOR - NXPMOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-2GW10 : $16.944
1 : $18.75
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
MW6S010GNR1Freescale SemiconductorRF FET - 分立半导体产品 半导体 射频MOSFET晶体管 HV6 900MHZ 10W1+:¥136.38
10+:¥123.24
25+:¥104.88
100+:¥97.02
250+:¥91.77
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
MW6S010GNR1NXP USA Inc.RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 GULL$30.14000
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
MW6S010GNR1NXP / Freescale射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 900MHZ 10W1:¥159.7481
10:¥146.9226
25:¥140.3912
100:¥124.0966
500:¥107.1918
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
MW6S010GNR1Freescale SemiconductorRF FET - 分立半导体产品 半导体 射频MOSFET晶体管 HV6 900MHZ 10W1+:¥136.38
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250+:¥91.771+:¥108.75
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元器件资料网-Richardson RFPD的LOGO
Richardson RFPD
MW6S010GNR1Freescale SemiconductorRF POWER TRANSISTOR1 : $11.56
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
MW6S010GNR1Freescale SemiconductorTrans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin TO-270 GULL T/R$15.7