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MW6S004NT1 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N
MW6S004NT1的规格信息
MW6S004NT1的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:NXP

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Vds-漏源极击穿电压:68 V

增益:18 dB

输出功率:4 W

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PLD-1.5-3

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

配置:Single

高度:1.83 mm

长度:6.73 mm

工作频率:2 GHz

系列:MW6S004NT1

宽度:5.97 mm

商标:NXP / Freescale

通道模式:Enhancement

湿度敏感性:Yes

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:12 V

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

零件号别名:935320257515

单位重量:280 mg

供应商MW6S004NT1
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集好芯城MW6S004NT1深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市辉华拓展电子有限公司MW6S004NT1深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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MW6S004NT1RF Power Field Effect Transistor FREESCALE[Freescale Semiconductor, Inc]FREESCALE[Freescale Semiconductor, Inc]的LOGO496.37 Kbytes共13页MW6S004NT1的PDF下载地址MRF1511T1,MRF1517T1,MRF6P3300HR3_06,MRF6V2010N,MTM55N10,2SK700,MRFG35002N6T1,MTD3055E,2N6059_03,MRF1513NT1
MW6S004NT1RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET FREESCALE[Freescale Semiconductor, Inc]FREESCALE[Freescale Semiconductor, Inc]的LOGO527.99 Kbytes共12页MW6S004NT1的PDF下载地址MRF6P21190HR6,MRF18085A,MRF6P3300HR5,MRF1517T1,MRF6P27160HR6,MRF6P18190HR6,MRF9002NR2,MRF5S21130,MRF6522-70R3,MW6S010NR1
MW6S004NT1RF Power Field Effect Transistor NXP[NXP Semiconductors]NXP[NXP Semiconductors]的LOGO550.65 Kbytes共13页MW6S004NT1的PDF下载地址
MW6S004NT1_07RF Power Field Effect Transistor FREESCALE[Freescale Semiconductor, Inc]FREESCALE[Freescale Semiconductor, Inc]的LOGO496.37 Kbytes共13页MW6S004NT1_07的PDF下载地址MRF1511T1,MRF1517T1,MRF6P3300HR3_06,MRF6V2010N,MTM55N10,2SK700,MRFG35002N6T1,MTD3055E,2N6059_03,MRF1513NT1
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RoHS : Compliant
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MW6S004NT1Freescale SemiconductorTrans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin PLD-1.5 T/R
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MW6S004NT1Freescale Semiconductor- Tape and Reel1,000 : $8.824
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Digi-Key 得捷电子
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Verical
MW6S004NT1Freescale SemiconductorTrans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin PLD-1.5 T/R$7.895