FET 类型：N 沟道

电压 - 击穿（V（BR）GSS）：30V

漏源电压（Vdss）：30V

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）：100mA @ 15V

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：6V @ 500pA

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：18pF @ 10V

电阻 - RDS（开）：40 Ohms

功率 - 最大值：360mW

工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

供应商器件封装：TO-18

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs