FET类型：N 沟道

漏源电压（Vdss）：40V

不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）：100mA @ 15V

不同Id时的电压-截止（VGS关）：6V @ 500pA

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：18pF @ 10V

电阻-RDS（开）：40 欧姆

功率-最大值：360mW

工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-18（TO-206AA）

无铅情况/RoHs：否