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MUN5311DW1T2G /ON Semiconductor/分立半导体产品
MUN5311DW1T2G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

系列:-

包装:带卷(TR)

晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10k

电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10k

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):35 @ 5mA,10V

不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值):500nA

频率 - 跃迁:-

功率 - 最大值:250mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363

供应商MUN5311DW1T2G
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MUN5311DW1T2GON Semiconductor晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 - 分立半导体产品9000+:¥0.61+:¥2.61
10+:¥1.54
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MUN5311DW1T2GON Semiconductor晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 - 分立半导体产品9000+:¥0.6
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MUN5311DW1T2GON SemiconductorTRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88$0.29000
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Mouser 贸泽电子
MUN5311DW1T2GON Semiconductor双极晶体管 - 预偏置 SS SC88 BR XSTR DUAL 50V1:¥2.0001
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MUN5311DW1T2GON(安森美)集电极电流Ic:100mA 额定功率:250mW 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 集射极击穿电压Vce:50V10+:¥0.262922
100+:¥0.19407
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