制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:52 A

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Rds On-漏源导通电阻:25 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :15 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:188 W

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

封装:Rail

商标:ON Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:200 ns

正向跨导 - 最小值:30 S

最小工作温度:- 55 C

上升时间:500 ns

典型关闭延迟时间:100 ns

典型接通延迟时间:15 ns