制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:42 A

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Rds On-漏源导通电阻:32 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :15 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:125 W

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

封装:Rail

商标:ON Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:160 ns

正向跨导 - 最小值:28 S

最小工作温度:- 55 C

上升时间:355 ns

典型关闭延迟时间:80 ns

典型接通延迟时间:16 ns