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MTP2305N3 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.8A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:36mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.38W 类型:P沟道
MTP2305N3的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)4.8A

栅源极阈值电压1.2V @ 250uA

漏源导通电阻36mΩ @ 4.5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)1.38W

类型P沟道

供应商MTP2305N3
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MTP2305N3CYSTECH(全宇昕)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.8A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:36mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.38W 类型:P沟道5+:¥0.442593
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