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MTP2301N3 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.4A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：450mV @ 250uA(最小) 漏源导通电阻：100mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.38W 类型：P沟道
MTP2301N3的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）-20V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）3.4A

栅源极阈值电压450mV @ 250uA(最小)

漏源导通电阻100mΩ @ 2.8A,4.5V

最大功率耗散（Ta=25°C）1.38W

类型P沟道

供应商MTP2301N3
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现代芯城（深圳）科技有限公司MTP2301N3www.nowchip.com0755-27381274
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深圳市宸远科技有限公司MTP2301N3深圳市福田区华强北街道中航北苑B座9B40755-23481624
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深圳市金华微盛电子有限公司MTP2301N3深圳市福田区中航路新亚洲2期N4A13113510157626
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