数据列表：MTM861270LBF View all Specifications

产品培训模块：MOSFETs for Power Management

标准包装：10,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：-

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：120 毫欧 @ 1A，4V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.1V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：-

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：300pF @ 10V

功率 - 最大值：540mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-SMD，扁平引线

供应商器件封装：WSSMini6-F1

其它名称：MTM861270LBFTR