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MTM78E2B0LBF /MOSFET NCH MOS FET FLT LD 2.0x2.1mm
MTM78E2B0LBF的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Panasonic

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:WSMini-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:4 A

Rds On-漏源导通电阻:21.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:12 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:700 mW

配置:Dual

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Panasonic

正向跨导 - 最小值:1 S

下降时间:1.5 us

产品类型:MOSFET

上升时间:0.5 us

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

供应商MTM78E2B0LBF
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深圳市天卓伟业电子有限公司MTM78E2B0LBF深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049
陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司MTM78E2B0LBF深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司MTM78E2B0LBF航都大厦10I0755-23990975
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司MTM78E2B0LBF深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
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深圳市毅创腾电子科技有限公司MTM78E2B0LBF深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
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集好芯城MTM78E2B0LBF深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市宇浩扬科技有限公司MTM78E2B0LBF深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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集好芯城MTM78E2B0LBF深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼4008626627
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13418830030,13418730030
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深圳市鑫智腾创科技有限公司MTM78E2B0LBF深圳市福田区红荔路上航大厦西座410-813066809747
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深圳市莱杰信科技有限公司MTM78E2B0LBF深圳市福田区华强北上步工业区102栋西座619/香港新界中环工業大廈112-115號0755-28183929
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万三科技(深圳)有限公司MTM78E2B0LBF深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-23763516,18818598465
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深圳市惊羽科技有限公司MTM78E2B0LBF深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
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MTM78E2B0LBFMOSFET 2N-CH 20V 4A WSMINI8-F1-BPanasonic Electronic ComponentsPanasonic Electronic Components的LOGO607.78 Kbytes共8页MTM78E2B0LBF的PDF下载地址
MTM78E2B0LBF连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.3V @ 1mA 漏源导通电阻:125mΩ @ 2A,4V 最大功率耗散(Ta=25°C):150mW 类型:双N沟道(共漏)PANASONIC(松下)PANASONIC(松下)的LOGO311.43 Kbytes共7页MTM78E2B0LBF的PDF下载地址
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Digi-Key 得捷电子
MTM78E2B0LBFPanasonic CorporationFET - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET NCH MOS FET FLT LD 2.0x2.1mm3000+:¥2.1
6000+:¥1.95
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Digi-Key 得捷电子
MTM78E2B0LBFPanasonic Electronic ComponentsMOSFET 2N-CH 20V 4A WSMINI8-F1-B$0.74000
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Mouser 贸泽电子
MTM78E2B0LBFPanasonicMOSFET NCH MOS FET FLT LD 2.0x2.1mm1:¥5.6839
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100:¥3.8307
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3,000:¥2.2713
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Mouser 贸泽电子
MTM78E2B0LBFPanasonic CorporationFET - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET NCH MOS FET FLT LD 2.0x2.1mm3000+:¥2.1
6000+:¥1.95
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9000+:¥2.21
24000+:¥2.12
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立创商城
MTM78E2B0LBFPANASONIC(松下)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.3V @ 1mA 漏源导通电阻:125mΩ @ 2A,4V 最大功率耗散(Ta=25°C):150mW 类型:双N沟道(共漏)1+:¥0.5355
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