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MTDP2004S6R /连续漏极电流(Id)(25°C 时):500mA 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:900mΩ @ 430mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:双P沟道
MTDP2004S6R的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)500mA

栅源极阈值电压1.2V @ 250uA

漏源导通电阻900mΩ @ 430mA,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)300mW

类型双P沟道

供应商MTDP2004S6R
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MTDP2004S6RCYSTECH(全宇昕)连续漏极电流(Id)(25°C 时):500mA 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:900mΩ @ 430mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:双P沟道1+:¥0.7305
10+:¥0.5276
30+:¥0.4903
100+:¥0.453
500+:¥0.4365
1000+:¥0.4283