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MTC3588BDFA6 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A,4A 漏源电压(Vdss):14V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA,1V @ 250uA 漏源导通电阻:26mΩ @ 5A,4.5V;56mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.38W 类型:N沟道和P沟道
MTC3588BDFA6的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)14V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)6A,4A

栅源极阈值电压1.2V @ 250uA,1V @ 250uA

漏源导通电阻26mΩ @ 5A,4.5V;56mΩ @ 3.6A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)1.38W

类型N沟道和P沟道

供应商MTC3588BDFA6
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MTC3588BDFA6连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A,4A 漏源电压(Vdss):14V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA,1V @ 250uA 漏源导通电阻:26mΩ @ 5A,4.5V;56mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.38W 类型:N沟道和P沟道CYSTECH(全宇昕)CYSTECH(全宇昕)的LOGO501.97 Kbytes共13页MTC3588BDFA6的PDF下载地址
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MTC3588BDFA6CYSTECH(全宇昕)连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A,4A 漏源电压(Vdss):14V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA,1V @ 250uA 漏源导通电阻:26mΩ @ 5A,4.5V;56mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.38W 类型:N沟道和P沟道1+:¥1.0416
10+:¥0.7778
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100+:¥0.6809
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1000+:¥0.6487