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MTC3587DL8 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.9A,3.9A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 4.4A,4.5V;80mΩ @ 3.2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:N沟道和P沟道
MTC3587DL8的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)4.9A,3.9A

栅源极阈值电压1.2V @ 250uA

漏源导通电阻45mΩ @ 4.4A,4.5V;80mΩ @ 3.2A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)1.5W

类型N沟道和P沟道

供应商MTC3587DL8
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MTC3587DL8CYSTECH(全宇昕)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.9A,3.9A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 4.4A,4.5V;80mΩ @ 3.2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:N沟道和P沟道1+:¥1.989
10+:¥1.502
30+:¥1.4125
100+:¥1.3231
500+:¥1.2833
1000+:¥1.2637