图像仅供参考,请参阅规格书
制造商:ON Semiconductor
产品种类:MOSFET
Id-连续漏极电流:75 A
Vds-漏源极击穿电压:50 V
Rds On-漏源导通电阻:9.5 mOhms
晶体管极性:N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 :20 V
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2.5 W
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:D2PAK-3
封装:Rail
商标:ON Semiconductor
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降时间:100 ns
正向跨导 - 最小值:15 S
最小工作温度:- 55 C
上升时间:170 ns
典型关闭延迟时间:70 ns
典型接通延迟时间:15 ns