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MTB50N06V / MOSFET
MTB50N06V的规格信息
MTB50N06V的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:42 A

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Rds On-漏源导通电阻:28 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:3 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:D2PAK-3

封装:Rail

商标:ON Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:54 ns

正向跨导 - 最小值:23 S

最小工作温度:- 55 C

上升时间:122 ns

典型关闭延迟时间:64 ns

典型接通延迟时间:12 ns

供应商MTB50N06V
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深圳市惊羽科技有限公司MTB50N06VT4深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
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