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MTB2P50ET4G /MOSFET P-CH 500V 2A D2PAK
MTB2P50ET4G的规格信息
MTB2P50ET4G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:800

类别:分立式导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:带卷 (TR)

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压 (Vdss):500V

电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2A (Tc)

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):6 欧姆 @ 1A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):27nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1183pF @ 25V

功率 - 最大值:2.5W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

供应商器件封装:D2PAK

ROHS: 无铅

供应商MTB2P50ET4G
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