制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:23 A

Vds-漏源极击穿电压:- 60 V

Rds On-漏源导通电阻:120 mOhms

晶体管极性:P-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :15 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:90 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:D2PAK-3

封装:Rail

商标:ON Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:62 ns

正向跨导 - 最小值:11.5 S

最小工作温度:- 55 C

上升时间:98.3 ns

典型关闭延迟时间:41 ns

典型接通延迟时间:13.8 ns