MTB20N06KJ3
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):38A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 1mA 漏源导通电阻:16.8mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道
MTB20N06KJ3的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)38A(Tc)
栅源极阈值电压2.5V @ 1mA
漏源导通电阻16.8mΩ @ 8A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)50W(Tc)
类型N沟道
MTB20N06KJ3
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| MTB20N06KJ3 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):38A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 1mA 漏源导通电阻:16.8mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道 | CYSTECH(全宇昕) |  | 498.34 Kbytes | 共9页 |  | 无 |
MTB20N06KJ3的全球分销商及价格
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 立创商城 | MTB20N06KJ3 | CYSTECH(全宇昕) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):38A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 1mA 漏源导通电阻:16.8mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥2.38 10+:¥1.77 30+:¥1.66 100+:¥1.55 500+:¥1.5 1000+:¥1.47
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