MTB095N10KRL3的供应商，MTB095N10KRL3规格参数，MTB095N10KRL3的PDF资料

MTB095N10KRL3 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.3A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.6V @ 250uA 漏源导通电阻：140mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道

MTB095N10KRL3的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）100V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）3.3A

栅源极阈值电压2.6V @ 250uA

漏源导通电阻140mΩ @ 2A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）2.5W

类型N沟道

MTB095N10KRL3的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市成源运利电子科技有限公司	MTB095N10KRL3	深圳市福田区华强路东方时代广场A2705	159-13992480 15913992480	林先生	询价
深圳市芯幂科技有限公司	MTB095N10KRL3	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
集好芯城	MTB095N10KRL3	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-82564006 18188616613	郑小姐	询价
深圳市坤融电子有限公司	MTB095N10KRL3-0-T3-G	航都大厦10I	0755-23990975 13926529829，17318082080	肖瑶，树平	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	MTB095N10KRL3	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
万三科技（深圳）有限公司	MTB095N10KRL3	深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园609	0755-21006672 18188642307	王小康	询价
深圳市惊羽科技有限公司	MTB095N10KRL3	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价
深圳市惊羽科技有限公司	MTB095N10KRL3	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价

MTB095N10KRL3及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
MTB095N10KRL3	N-Channel Enhancement Mode MOSFET	CYSTEKEC[Cystech Electonics Corp.]	413.67 Kbytes	共9页	无
MTB095N10KRL3	N-Channel Enhancement Mode MOSFET	CYSTEKEC[Cystech Electonics Corp.]	414.62 Kbytes	共9页	无
MTB095N10KRL3_17	N-Channel Enhancement Mode MOSFET	CYSTEKEC[Cystech Electonics Corp.]	414.62 Kbytes	共9页	无
MTB095N10KRL3-0-T3-G	N-Channel Enhancement Mode MOSFET	CYSTEKEC[Cystech Electonics Corp.]	414.62 Kbytes	共9页	无

MTB095N10KRL3的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	MTB095N10KRL3	CYSTECH(全宇昕)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.3A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.6V @ 250uA 漏源导通电阻：140mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道	1+:￥1.3488 10+:￥1.0119 30+:￥0.9501 100+:￥0.8882 500+:￥0.8607 1000+:￥0.8471

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