MTB030N10RQ8的供应商，MTB030N10RQ8规格参数，MTB030N10RQ8的PDF资料

MTB030N10RQ8 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.2A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道

MTB030N10RQ8的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）100V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）6.2A

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻30mΩ @ 10A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）3.1W

类型N沟道

MTB030N10RQ8的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市天卓伟业电子有限公司	MTB030N10RQ8	深圳市福田区华强北路1019号A座13楼	0755-82573552 17302670049	陈敏	询价
深圳市芯幂科技有限公司	MTB030N10RQ8	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市仓实科技有限公司	MTB030N10RQ8	深圳市福田区福田街道	17080955875	李先生	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	MTB030N10RQ8	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	MTB030N10RQ8	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
集好芯城	MTB030N10RQ8	深圳市福田区航都大厦25F	0755-82564006 13310061703	傅小姐	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	MTB030N10RQ8	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市惊羽科技有限公司	MTB030N10RQ8	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价
深圳市腾浩伟业电子有限公司	MTB030N10RQ8	深圳市福田区上步工业区201栋316室	18218171380(微信同号）	李	询价

MTB030N10RQ8及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
MTB030N10RQ8	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	CYSTEKEC[Cystech Electonics Corp.]		484.25 Kbytes	共9页		无
MTB030N10RQ8-0-T3-G	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	CYSTEKEC[Cystech Electonics Corp.]		484.25 Kbytes	共9页		无

MTB030N10RQ8的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	MTB030N10RQ8	CYSTECH(全宇昕)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.2A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道	1+:￥2.03 10+:￥1.5 30+:￥1.41 100+:￥1.31 500+:￥1.27 1000+:￥1.25

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