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MT3S15TU(TE85L) /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
MT3S15TU(TE85L)的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

数据列表:MT3S15TU -

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:RF 晶体管(BJT)

系列:-

包装:带卷(TR)

晶体管类型:NPN

电压 - 集射极击穿(最大值):6V

频率 - 跃迁:11.5GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.6dB @ 1GHz

增益:19dB

功率 - 最大值:900mW

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 50mA,5V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):80mA

安装类型:表面贴装

封装/外壳:3-SMD,扁平引线

供应商器件封装:UFM

其它名称:MT3S15TU(TE85L)TR

供应商MT3S15TU(TE85L)
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