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MT3S111P(TE12L,F) /射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 1W
MT3S111P(TE12L,F)的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:射频(RF)双极晶体管

RoHS:是

系列:MT3S111P

晶体管类型:Bipolar

技术:SiGe

晶体管极性:NPN

直流集电极/Base Gain hfe Min:200

集电极—发射极最大电压 VCEO:6 V

发射极 - 基极电压 VEBO:0.6 V

集电极连续电流:100 mA

最大工作温度:+ 150 C

配置:Single

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SC-62-3

封装:Cut Tape

封装:Reel

工作频率:8 GHz

商标:Toshiba

最大直流电集电极电流:100 mA

Pd-功率耗散:1 W

产品类型:RF Bipolar Transistors

工厂包装数量:1000

子类别:Transistors

单位重量:50 mg

供应商MT3S111P(TE12L,F)
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