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MRFE6S9125NR1 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 125W
MRFE6S9125NR1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:NXP

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Vds-漏源极击穿电压:- 500 mV, 66 V

增益:20.2 dB

输出功率:27 W

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-270-4

封装:Reel

配置:Single

高度:2.64 mm

长度:17.58 mm

工作频率:880 MHz

系列:MRFE6S9125N

宽度:9.07 mm

商标:NXP / Freescale

通道数量:1 Channel

通道模式:Enhancement

湿度敏感性:Yes

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:- 0.5 V, 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V

零件号别名:935314059528

单位重量:1.646 g

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MRFE6S9125NR1N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs FREESCALE[Freescale Semiconductor, Inc]FREESCALE[Freescale Semiconductor, Inc]的LOGO598.87 Kbytes共18页MRFE6S9125NR1的PDF下载地址MRF6S21060NR1,MRF9200LR3,MRF19045LR3_06,MRF7S19100NR1,PD57006-E,MRF9030MR1_07,MRF1535NT1_08,MRF7S18170H,MRF373,MRF6VP41KHR6
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MRFE6S9125NR1Freescale SemiconductorGSM EDGE LATERAL N-CH RF PWR MOSFET500 : $40.4267
2,000 : $37.9
4,500 : $35.6706
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MRFE6S9125NR1Freescale SemiconductorRF FET - 分立半导体产品 半导体 射频MOSFET晶体管 HV6E 125W500+:¥285.85500+:¥264.46500+:¥258.34
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MRFE6S9125NR1FREESCALE SEMICONDUCTOR - NXPMOSFET RF N-CH 27W TO-270-4500 : $39.29992
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Digi-Key 得捷电子
MRFE6S9125NR1Freescale SemiconductorRF FET - 分立半导体产品 半导体 射频MOSFET晶体管 HV6E 125W500+:¥285.85
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Digi-Key 得捷电子
MRFE6S9125NR1NXP USA Inc.FET RF 66V 880MHZ TO-270-4Obsolete
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MRFE6S9125NR1NXP / Freescale射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 125W500:¥487.3238
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Mouser 贸泽电子
MRFE6S9125NR1Freescale SemiconductorRF FET - 分立半导体产品 半导体 射频MOSFET晶体管 HV6E 125W500+:¥285.85500+:¥264.46
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Newark element14
MRFE6S9125NR1Freescale SemiconductorSingle N-CDMA, GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 800 MHz, 27 W Avg., 28 V100 : $34.06
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Richardson RFPD
MRFE6S9125NR1Freescale SemiconductorRF POWER TRANSISTOR1 : $39.38
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MRFE6S9125NR1Freescale SemiconductorTrans RF MOSFET N-CH 66V 5-Pin TO-270 W T/R$37.9