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MRF7S15100HSR3 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV7 1.5GHZ 28V23W NI780S
MRF7S15100HSR3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:NXP

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Vds-漏源极击穿电压:65 V

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:NI-780S

封装:Reel

配置:Single

高度:4.32 mm

长度:20.7 mm

系列:MRF7S15100H

类型:RF Power MOSFET

宽度:9.91 mm

商标:NXP / Freescale

通道模式:Enhancement

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:250

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V

零件号别名:935317045128

单位重量:4.763 g

供应商MRF7S15100HSR3
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MRF7S15100HSR3RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs FREESCALE[Freescale Semiconductor, Inc]FREESCALE[Freescale Semiconductor, Inc]的LOGO405.36 Kbytes共12页MRF7S15100HSR3的PDF下载地址MRF7S18170H,MRF6S19140HR3_07,MRF373,MRF6S21140HR3_07,MRF6VP3450HR6,MRF5S21130HR3,MRF6S24140HR3,MRF6V2300NR1,MRF6S21140HR3,MRF7S21170HR3_07
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MRF7S15100HSR3Freescale Semiconductor- Tape and Reel250 : $85.794
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MRF7S15100HSR3Freescale SemiconductorRF FET - 分立半导体产品250+:¥482.5201250+:¥512.6201
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Digi-Key 得捷电子
MRF7S15100HSR3NXP USA Inc.FET RF 65V 1.51GHZ NI780SObsolete
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MRF7S15100HSR3Freescale SemiconductorRF FET - 分立半导体产品250+:¥482.5201
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MRF7S15100HSR3128NXP USA Inc.N CHANNEL ENHANCEMENT-MODE RF PO$135.44000
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MRF7S15100HSR3NXP / Freescale射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV7 1.5GHZ 28V23W NI780S250:¥830.3353
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