MRF7P20040HR3的供应商，MRF7P20040HR3规格参数，MRF7P20040HR3的PDF资料

MRF7P20040HR3 / 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV7 2GHZ 40W NI780H-4

MRF7P20040HR3的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Freescale Semiconductor

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

商标:Freescale Semiconductor

Id-连续漏极电流:150 mA

Vds-漏源极击穿电压:65 V

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Vgs-栅源极击穿电压 :10 V

增益:18.2 dB

输出功率:10 W

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:NI-780-4

封装:Reel

最小工作温度:- 65 C

工作频率:1.8 GHz to 2.2 GHz

工厂包装数量:250

类型:RF Power MOSFET

Vgs th-栅源极阈值电压:2.7 V

单位重量:6.425 g

MRF7P20040HR3的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
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深圳市赛美科科技有限公司	MRF7P20040HR3	广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A595	0755-28309323 13480875861	雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	MRF7P20040HR3	深圳市福田区航都大厦10B	13352985419 13352985419	木易	询价
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深圳市百润电子有限公司	MRF7P20040HR3	深圳市华强北华强广场C座7楼001室	13430483190	麦逸芬	询价

MRF7P20040HR3及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
MRF7P20040HR3	RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs	FREESCALE[Freescale Semiconductor, Inc]	493.99 Kbytes	共16页	无
MRF7P20040HR3	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs	FREESCALE[Freescale Semiconductor, Inc]	211.43 Kbytes	共16页	无
MRF7P20040HR3_10	RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs	FREESCALE[Freescale Semiconductor, Inc]	493.99 Kbytes	共16页	无

MRF7P20040HR3的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Richardson RFPD	MRF7P20040HR3	Freescale Semiconductor	RF POWER TRANSISTOR	1 : $0.0

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