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MRF6P23190HR6 /Freescale Semiconductor/分立半导体产品
MRF6P23190HR6的规格信息
MRF6P23190HR6的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

PCN 过时产品/ EOL：RF Devices 28/Jun/2011

标准包装：150

类别：分立半导体产品

家庭：RF FET

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：LDMOS

频率：2.39GHz

增益：14dB

电压 - 测试：28V

额定电流：10µA

噪声系数：-

电流 - 测试：1.9A

功率 - 输出：40W

电压 - 额定：68V

封装/外壳：NI-1230

供应商器件封装：NI-1230

供应商MRF6P23190HR6
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MRF6P23190HR6RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET FREESCALE[Freescale Semiconductor, Inc]FREESCALE[Freescale Semiconductor, Inc]的LOGO435.71 Kbytes共11页MRF6P23190HR6的PDF下载地址MRF1518T1,MRF373,MRF18030BLR3,MRF7S19100NR1,MRF6S21060NR1,MRF7S18170H,MTM55N10,MRF5S21130HR3,MRF6S24140HR3,MRF6S21140HR3
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